现代社会信息技术发展迅猛,分子整流器作为实现分子电子线路的基本元件,几乎所有具有逻辑功能的器件都可以用其来实现。分子整流器是基于分子电子学的基础,以多个或单个有机小分子为主体材料设计的一种器件,但是其具有性能不稳定、可重复性差、整流比低、机理不清楚以及不可控性等缺陷。离子型有机无机杂化材料整流效应的研究目前尚未报道。本论文用溶剂热法合成了三例金属硫属化合物FJU-68-n([enH]0.5Cu1.5-xAgxSn0.5S2,en=乙二胺,Cu/Ag比n=(1.5-x)/x=2.2、2.3或2.4)。FJU-68-n是乙二胺一价阳离子支撑的[Cu1.5-xAgxSn0.5S2]二维层状材料。通过改变反应物的含量,很容易实现产物中Cu/Ag 比的控制。FJU-68-n三个化合物沿三个晶轴方向a、b、c的单晶整流和单晶离子导体性能测试表明掺杂的FJU-68-n的伏安特性都表现出整流效应,而没有掺杂的(enH)2Cu8Sn3S12未观察到整流效应。增大Cu/Ag 比,会系统增大晶轴a方向的离子导电率和整流比,Cu/Ag 比从2.2增大到2.4,整流比从14变到107,增大8倍;80 ℃的离子电导率从4.80×10-4变到4.8×10-2 S·cm-1,增大了约100倍。但是调节Cu/Ag 比对晶轴b或c方向上的离子导电率和整流比影响不大。这些说明金属离子的掺杂而产生结构上的不对称和无序化是FJU-68具有整流效应的主要原因,整流比可以通过调节层内铜银离子沿着a轴在层间的迁移进行控制。这为调控半导体整流器件的设计提供了一个新的思路。本论文还用溶剂1,2-丙二胺代替乙二胺合成了三例金属硫属化合物FJU-69([1,2-dapH]0.5Cu1.5-xAgxSn0.5S2,1,2-dapH=1,2-丙二胺,Cu/Ag比n=(l1.5-x)/x=2.2、2.3或2.4),该材料和FJU-68相比,在同样的条件下导电率下降很多倍,证明了溶剂对材料的性质具有重要影响。此外,本论文还合成了一例简单的硫锡化合物FJU-70,并测试了其导电性,并且希望以它为基本结构单元,合成出新的多元金属硫属化合物。