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氧化锡锑(ATO)薄膜具有资源丰富、价格低廉、无毒无污染等优点,是已获广泛应用的高成本、有毒性氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的可替代材料之一ATO薄膜中Sb元素价态及分布、结晶性、结构均匀性、载流子输运等诸多复杂因素会对其光学性能和导电性能产生不利影响,从而难以获得高性能的ATO薄膜,是ATO薄膜制备的主要难点。通过综述国内外已报道的ATO薄膜制备研究,本文提出采用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过优化工艺参数和后续热处理,研究工艺参数对ATO薄膜物相、组成和结构的影响,建立Sb掺杂含量、价态分布与A