由于在结构相变、电学、磁学、光学等方面显示出丰富的特性,功能性氧化物一直以来都是物理、化学以及材料学科的研究热点,在电子信息领域有着广阔的应用前景。功能氧化物的功能性不仅体现在其电学、光学、磁学等性能的奇特性,还体现在其性能的可控性。材料的性能调控不仅能提升材料的功能性,还能帮助我们认识材料的性能与微观结构之间的关系。性能的电场调控,即通过外加电压产生的电场来改变材料的电、磁、光学性能,可以实现对功能氧化物薄膜材料连续、可逆的性能调控,是功能氧化物实现功能器件的前提。电场可以通过静电感应调节薄膜载流子浓度来影响材料的性能,不仅能改变材料电阻还能影响一些材料中载流子调制的磁学和光学性能。电场还可以通过驱动离子迁移,即电化学氧化还原过程,实现非易失的性能调控。基于离子迁移的电场调控极大丰富了功能氧化物性能的调控,在很多材料中实现了显著的电、磁、光学性能调控效果。伴随着离子迁移发生的结构相变、金属-绝缘体转变、铁磁-反铁磁转变、光透光率转变等不仅展现了电场驱动离子迁移调控氧化物性能的高效性,还催生了很多功能丰富的器件,比如电阻（磁性）开关晶体管、阻变随机存储器、电致变色、人工突触等等。本论文从电场驱动离子迁移调控功能氧化物性能的角度出发,通过选用不同类型氧化物薄膜材料,设计和构造了几种电控性能的器件,展示了器件性能调控的显著效果并探讨了调控背后的物理机制,主要内容概括如下:（1）电场驱动O2迁移调控SrCoO2.5薄膜的铁磁金属-反铁磁绝缘体转变。我们利用固态离子胶作为电解质,制备了基于高质量外延SrCoO2.5薄膜的晶体管器件,实现了电场调控的钙铁石结构反铁磁绝缘体SrCoO2.5和钙钛矿结构铁磁金属SrCoO3-δ之间的转变。分别从结构、电输运、磁性方面证明了该转变的可逆性和稳定性。我们还证明了电场驱动02-注入和脱出薄膜诱导相变的过程,是一种有水分参与的电化学过程。其次,我们在柔性衬底上,在室温条件下生长了非晶SrCoOx薄膜和取向生长的ZnO薄膜用来构建p-n结,实现了自供电的柔性紫外探测器,并验证了其良好的光电性能和稳定性,展现了该探测器用于低能耗、可穿戴电子器件的潜在价值。（2）电场驱动H+迁移实现VO2薄膜的三态相变。我们利用固态离子胶作为电解质,制备了基于VO2薄膜的晶体管器件,实现了电场可控的VO2薄膜的绝缘体（初始绝缘态）-金属（氢化的金属态）-绝缘体（氢化的绝缘态）的三态相变,并证明了该相变的可逆性。通过系统的结构表征和电输运测量实验,探索得到了电场驱动H+注入和脱出VO2薄膜的相变机制。我们进一步通过循环升、降温的R-T测试,探讨了 VO2薄膜内H+的动态脱出过程,更清楚地认识到H+在VO2薄膜相变过程中起到的关键作用。最后我们不但验证了电场驱动H+注入和脱出VO2薄膜的稳定性,还展示了该器件在脉冲栅极电压作用下较好的累积效应和记忆效果。（3）电场驱动Li+迁移诱导透明导电薄膜的电致变色。我们使用锂离子电池结构,制备了基于FTO透明导电玻璃的电致变色器件,实现了电场驱动的Li+嵌入、脱出FTO薄膜对其光透过率的巨大调控。我们系统地测试了 FTO的电致变色性能,探究了其电致变色伴随的Li+迁移过程。通过结构、形貌、电化学测试给出了该器件稳定工作需要满足的电压区间,并通过充、放电过程中原位的紫外-可见光透射谱测试证实了该器件光透过率的稳定、可逆电调控。（4）电场驱动F-迁移实现电压可控多功能光电器件。我们在LaF3衬底上生长了 ZnO薄膜,制备了具有源、漏、栅三端结构光电晶体管器件。利用电场控制ZnO和LaF3界面处F-分布的改变,小电压下实现了界面电场对ZnO薄膜光学、电学性质的大幅调控。通过电输运、光电响应测试,展示了该器件作为非易失的场效应晶体管、累积效应可控的神经突触模拟器件和电控紫外光探测器的性能表现:该器件可以实现超过4个数量级的可逆的阻态转换;可以在不同栅极电压下控制光脉冲引起的阻变记忆效果;还可以在-5 V的栅极电压下实现25 mA/W的紫外光探测。