【摘 要】
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该文通过调研和分析,在常用的离子注入工艺模型基础上,提出了简单而实用的描述离子注入及快速热退火后浓度分布的工艺模型.可以由注入离子的种类、能量、剂量以及快速热退火
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该文通过调研和分析,在常用的离子注入工艺模型基础上,提出了简单而实用的描述离子注入及快速热退火后浓度分布的工艺模型.可以由注入离子的种类、能量、剂量以及快速热退火的温度和时间等参数直接得到常用的三种离子注入单晶硅和快速热退火后的杂质浓度分布.对于As和P,模型适用的离子注入能量范围为0,σ<,p2>和掺杂剂量D作适当修正,使模型与实验数据相符.B离子注入分布的特点是峰值位置基本不变,峰值浓度稍有降低,峰值降低的部分向两边扩展,尾部依然保持指数的形式,扩展程度随退火时间的增加而增大.该文在模型中保持峰值位置不变,直接对未退火的杂质浓度分布作修正,在模型中体现出退火后的浓度分布变化特点.以上三种离子的快速热退火修正模型都以退火时间和退火温度为输入参量,可以在模型中体现出不同退火时间和退火温度对杂质浓度分布的影响.
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