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硫化镉在薄膜太阳电池中应用广泛。无论在CIGS(I–III–V材料)还是Cd Te(II–VI材料),或者CZTS薄膜材料体系电池中,Cd S都是非常关键的一层。在Cd Te电池中Cd S作为n型半导体材料,在CIGS薄膜太阳电池中Cd S作为缓冲层介于CIGS和Zn O之间的关键层,一方面作为n型半导体材料,另一方面可以调节CIGS和Zn O带隙梯度。为了制备透明的和高电阻率的Cd S薄膜,研制出很多种方法制备获得。如化学气相沉积(CVD),电镀,射频磁控溅射,化学水浴法。而制备无针孔的Cd S薄