本论文的主要工作是应用第一性原理计算研究Ti2基Heusler合金Ti2FeZ(Z=Sn,Sb)和二元half-Heusler合金Fe2Z(Z=Si,Ge,Sn)的电子结构与磁性。　　 通过研究Ti2FeZ(Z=Sn,Sb)系列合金,预测了Ti2FeSn为半金属,Ti2FeSb为半导体。Ti、Fe原子的3d电子之间的杂化作用在费米能级附近形成d-d带隙。Ti2FeSn的带隙宽度为0.84eV,费米能级落在带隙的中间部分。当Ti2FeSn的晶格常数从5.75(A)到7.00(A)变化时,费米能级从右向左横跨过半金属带隙,并始终保持100％的自旋极化率。　　 通过研究二元half-Heusler合金Fe2Z(Z=Si, Ge,Sn)的占位方式、电子结构与磁性,发现Fe2Z合金的占位方式与普通的Heusler合金类似。带隙来源于Fe(A)、Fe(B)原子d态之间的杂化作用。随着Z原子从Si到Sn,带隙逐渐向高能方向移动。Fe2Ge的带隙在费米能级处打开形成半金属。预测了新的半金属材料Fe2Ge,并讨论了Fe2Si的总磁矩和自旋极化率随晶格常数变化情况。Fe2Si虽然不是真正意义上的半金属，但是自旋极化率高达98％,其半金属性对晶格畸变不敏感。