多弧离子镀制备TiC薄膜的工艺及性能研究

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自70年代以来,表面技术得到突飞猛进的发展,无论在学术上还是在实际应用中都取得了丰硕的成果。离子镀技术是当今使用面最广、最先进的表面处理技术之一,而多弧离子镀更是其中的佼佼者。本文采用多弧离子镀技术在高速钢表面沉积TiC薄膜并对膜的制备工艺和性能进行了系统的研究。论文第一部分主要研究镀膜过程中,沉积工艺参数如C2H2流量、Ti靶电流、负偏压和沉积温度等对薄膜显微硬度和膜/基结合力的影响,从而得出多弧离子镀技术制备TiC膜的最佳工艺为:C2H2流量0.20L/min、沉积温度300℃、氩气流量0.02L/min、Ti靶电流60A、沉积时间60min、负偏压250V.在此工艺下制备的TiC薄膜显微硬度达到2900HV0.05,膜/基结合力达到50N,膜厚约5微米。论文第二部分主要研究了TiC薄膜的耐磨性并对其内应力进行了测定。微量磨损试验表明:TiC薄膜具有比TiN膜更小的摩擦系数,更优异的耐磨性。应力测试结果表明:TiC薄膜的宏观总应力、热应力和本征应力均为压应力,压应力的存在使得材料比自由状态下的材料具有更强的抗破坏能力。
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