基准源作为模拟集成电路中的重要模块,向其它电路模块提供高精度的电压基准或电流基准,其输出电压或电流不随温度、电源电压、工艺、负载变化。近些年来,随着半导体技术的飞速发展,以及电路系统性能不断提升,基准源作为核心模块,其性能好坏将直接影响整个电路系统的稳定。因此,研究高性能基准源显得尤为重要。为了满足未来高性能系统对基准源的要求,本文对基准源的精度、温漂、电源抑制比等参数进行了优化,设计了一款可修调的高精度、低温漂带隙基准电压源。在传统Brokaw型带隙基准源电路结构的基础上,采用多晶硅电阻负温度系数补偿技术,可实现二阶曲率温度补偿效果,在不增加过多器件的同时降低了基准电压的温漂;引入电压负反馈环路,电源电压抑制能力得到较大提高;设计电阻修调网络,保证了基准电压的精度。电路基于双极工艺设计和制造,测试结果表明:在-55℃~125℃温度范围内,15V电源电压下,基准源稳定输出电压为2.5V±6mV,温度系数为12ppm/℃,低频时电源抑制比为-105dB,静态电流不超过1.5mA,重载时输出电流能力达到10mA。