金刚石薄膜在异质基体上形核、生长及应用研究

来源 :中国科学院等离子体物理研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:peiyhpyh
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本文利用等离子体技术,对硬质合金与金刚石薄膜之间附着力进行研究:使用负偏压技术增加金刚石在硬质合金上的核密度,并改善金刚石核分布的均匀性,显著增加了金刚石薄膜附着力;采用H等离子体对刀具表面WC进行脱碳还原处理,大幅度提高W、Ti过渡层和刀具基体的结合力,从而增加金刚石薄膜附着力;研究了Ti过渡层碳化成TiC时温度对TiC结构的影响。发现在CH4-Ar等离子体中能够在较宽的温度范围获得致密TiC,在致密的TiC过渡层上沉积的金刚石薄膜具有更高的附着力;在玻璃板以及电路板上进行钻孔实验表明,金刚石涂层硬质合金钻头具有更长寿命。在热丝CVD中,研究气相渗硼对金刚石薄膜在WC-6%Co上的生长及附着力影响。发现渗入适量的硼在不降低薄膜质量的同时,细化晶粒,提高薄膜的附着力;在热丝CVD中,研究电子对金刚石薄膜生长速度的影响,采用酸腐蚀以及在刀具的侧、背面镀铜等预处理技术,将刀具上金刚石薄膜的生长速度由4.0μm/h提高到10.6μm/h,并且薄膜质量高。在微波等离子体CVD中,在45号钢板上使用渗铝层作为过渡层,在较低温度下沉积出高质量的金刚石薄膜,该研究结果对拓展金刚石薄膜应用范围具有重要意义。
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