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自组织量子点是目前国际上的研究热点之一,最近宽带隙的InAlAs/AlGaAs量子点由于是实现红光量子点激光器的理想材料而受到人们的重视.在该工作中,作者采用变温,变激发功率的常压和静压光致发光技术,研究了几种Ⅲ-V族半导体材料,主要是InAlAs/AlGaAs 量子点结构光致发光特性.
InAlAs/AlGaAs自组织量子点材料的光学性质研究
【摘 要】
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自组织量子点是目前国际上的研究热点之一,最近宽带隙的InAlAs/AlGaAs量子点由于是实现红光量子点激光器的理想材料而受到人们的重视.在该工作中,作者采用变温,变激发功率的
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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中国科学院半导体研究所
【发表日期】
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2000年期
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