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自1954年硅材料压阻效应被首次发现以来,这一领域的理论和实验研究不断出现,并且基于此效应的各种硅基压敏传感器和加速器被广泛应用。随着电子集成电路尺寸不断减小,以及低维半导体纳米材料的发现,人们发现纳米材料相比于体材料可以承载更大的弹性应变,并且具有很多奇特性能。因此,深入理解硅材料尺寸下降到纳米尺度时,其压阻效应的变化规律对应变调控半导体材料性能研究以及基于硅压阻效应的微纳器件设计具有重要意义。利用聚焦离子束(FIB)技术系统地获得了N型、以及方向硅纳米线,以Nano