ZnO纳米线的掺杂与表征

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炸药是一种在爆炸时可形成高温高压气体产物的含能材料,被广泛的应用于军事应用中和工业生产中的的各个方面,而现代战争的主要特征就是在摧毁目标的同时,对周围环境气氛产生了严重的影响,对后续地面作战和人员的人身安全起到了危害。为了保护工作人员和战士的人身安全,当有害气体超限,气敏传感器即可自动报警,然后采取先抽后采的原则,即可防止危害人员中毒,甚至死亡的发生,因此研究对有害气体具有高灵敏度和高选择性的气敏传感器迫在眉睫,意义重大。ZnO是目前应用比较广泛的气敏材料,性能也比较优异。而金属掺杂则可以改善ZnO纳米材料气敏性能。因此本工作采用改进的新型气氛热处理程控高温炉,用物理热蒸发法制备出一维纯ZnO纳米材料及掺杂不同含量的Sn元素的ZnO纳米材料,研究了其纳米线的形貌、晶体结构,光致发光,分析Sn的掺杂在ZnO纳米线中的化学状态;并分析Sn掺杂浓度对ZnO纳米线中化学状态的影响,获得了如下主要研究结果:(1)3%Sn和5%Sn的掺杂是以掺入晶格中的形式存在,并没有生成化合物。6%Sn的掺杂则是以Sn02镶在ZnO纳米线中为存在形式的,增大了表面积。(2)当ZnO纳米线的直径变小,结晶缺陷会有一定程度的减小,光致发光也会得到优化,发光强度会增加。(3)掺杂5%Sn0的ZnO的纳米线的形貌为四针状,它是以掺入晶格的形式存在的,生成此形貌的原因是因为SnO和Zn蒸汽发生反应生成Sn,而Sn则取代了ZnO中的部分Zn原子实现了晶格内掺杂,此一系列的反应使其纵向生长的速率以横向生长的速率基本保持一致。(4)分析掺杂4%Sn的ZnO纳米材料,发现此物质有三种物质存在,他们分别是ZnO、SnO2、Zn2SnO4,它们是以ZnO为壳层、Sn02核芯、有它们的中间包裹着Zn2SnO4三元化合物,而共同形成的同轴电缆结构。
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