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针对目前AlGaInP LEDs外量子效率一直不高的现状,本文利用表面粗糙化方法对传统正装和新型倒装AlGaInP LEDs进行表面粗化。本文设计并制作了传统正装和新型倒装AlGaInP红光LEDs,具体分析了其各自粗化层的特点。针对正装AlGaInP LEDs设计了采用H3PO4/H2O:混合液和HNO3/HF混合液分别对传统正装AlGaInP LEDs进行湿法粗化,用ICP进行干法粗化,用干湿法相结合粗化三种方案。针对倒装AlGaInP LEDs研究了粗化层(AlxGa1-x)0.5In0.5P中Al组分大小对粗化工艺的影响,设计采用HCl/H3PO4混合液对倒装AlGaInP LEDs进行湿法粗化。对制作出的器件进行光电测试发现,传统正装AlGaInP LEDs采用HNO3/HF混合液粗化外量子效率提高8.3%,采用干法ICP蚀刻外量子效率提高11.7%,选用干湿法结合外量子效率提高20.8%。倒装AlGaInP LEDs在Al组分为0.4时,最利于形成粗糙面,采用HCl/H3PO.混合液进行粗化可最大使外量子效率提高79.3%。