半导体铟化合物的制备与表征

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本文采用溶剂热法,在160–200°C下制备了三种不同物相的铟化合物(氧化铟、羟基氧化铟和氢氧化铟)。对样品进行了XRD、FTIR、XPS、TEM、SEM、PL、UV–Vis和光催化性质表征。结果表明,制备的各种物相均比较纯净、结晶性良好。其中氧化铟(In2O3)为粒径在5–10 nm左右的分散的纳米颗粒,氢氧化铟(In(OH)3)为粒径在50–160 nm之间的纳米方体,而羟基氢氧化铟(InOOH)为纳米棒(直径约为100 nm,长度为800–1500 nm)及“树枝状”结构;In2O3和InOOH均有PL现象,并且In2O3的带隙为4.20 eV;所制得的样品均具有良好的紫外光催化效果。另外,对反应体系中的各种影响因素进行了对比考察,如反应温度、反应时间、醋酸钠的加入量、和水的加入量等;对三种铟化合物纳米结构的形成机理进行了探讨。在高压反应釜中采用溶剂热法制备了In2O3-xNx。通过采用不同氮源和不同原料配比对掺氮效果进行对比。结果表明,用叠氮钠作为氮源的掺氮效果比较好,并且掺氮比例大时的掺氮效果相对较好,且最高掺氮量可达3.6%。采用水热法制备了In(OH)3毫米/亚毫米晶体,并对典型样品进行了XRD、TG/DSC、EDS和SEM表征。结果表明,制备的In(OH)3是最大边长达1.5 mm的近立方形块体,该表面光滑的块体是由In(OH)3纳米片自组装形成的。同时,对晶体生长的影响因素进行了相关的探索,如反应温度和时间、NaOH浓度、诱导剂种类和诱导剂的加入量等,其中诱导剂对晶体的形成起着决定性的作用。另外也对毫米晶的形成机理进行了探讨。
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