钼酸镧(La<,2>Mo<,2>O<,9>)是近年来发现的一种新型的氧离子导体材料,这种材料相对现有的氧离子导体材料具有高的离子导电率和低的使用温度,一经研究发现便引起了学术界的关注.该文探讨了一种使用氧化镧和钼酸铵为原料合成制备钼酸镧粉体的新方法,并使用差热分析方法(DTA)研究了反应中的热量变化,确定反应的相变温度;通过改变反应温度和反应时间,研究了反应温度和反应时间对生成的钼酸镧粉体X-Ray衍射谱的影响,得出一个制备钼酸镧粉体的适宜反应条件;同时使用氧化铋作为掺杂原料,生成化学式为La<,1.95>Bi<,0.05>Mo<,2O9>的化合物.依据已有的文献报道所提供的数据,结合该实验所制备的试样粉体的X射线衍射数据,应用GSASRietveld结构精修软件对粉体的晶体结构进行精修,并使用VRSTPLOT绘图工具建立了一个可能的三维晶体结构模型.同时也对Bi元素掺杂的钼酸镧晶体进行了结构精修,并比较了其与钼酸镧晶体结构的差别.实验结果表明采用钼酸铵和氧化镧为原料,在800℃和8小时的反应条件下,可以获得X-Ray衍射谱良好的钼酸镧粉体,使用Rietveld方法对此条件下生成的钼酸镧粉体的X-Ray衍射数据进行精修后,得到的晶体晶格常数为:a=7.1539,b=7.1553,c=7.1564,α=90.00°,β=89.99°,γ=90.00°;当使用氧化铋作为掺杂原料向晶体中引入铋原子后,引起晶体晶格常数和内部原子排列的变化,在理论上可以提高晶体的离子导电率.