【摘 要】
:
随着3G移动通信网络的大规模铺设和LTE的逐步发展,新的移动通信终端—尤其是无线数据卡这一在3G时代、甚至在4G LTE时代最为广泛应用的终端—的设计将面临兼容性难题,即现有
论文部分内容阅读
随着3G移动通信网络的大规模铺设和LTE的逐步发展,新的移动通信终端—尤其是无线数据卡这一在3G时代、甚至在4G LTE时代最为广泛应用的终端—的设计将面临兼容性难题,即现有的系统既要满足LTE标准新推出的工作频段(LTE700/2300/2500),又要兼容2G(比如GSM)和3G(比如UMTS和CDMA等)原有的工作频段(GSM850/900/1800/1900以及UMTS2100)。这对于无线数据卡天线的设计来说将极具挑战性,因为天线的理论极限性能受限于越来越小的整机尺寸。鉴于此,本文针对宽带匹配网络技术、集总元件加载技术和分布式元件匹配技术等三种宽带技术在LTE/GSM/UMTS多频段无线数据卡天线设计中的应用进行了研究,其具体内容包括:本文首先简述了无线数据卡天线的研究背景及进展。针对常见无线数据卡天线的设计,分析讨论了它的主要外部参数的影响。同时结合无线数据卡设备的固有特点指出了该天线设计中的一般考虑,进而详细讨论了三种主要的宽带技术—宽带匹配网络技术、集总元件加载技术以及分布式效应匹配技术—的具体工作原理和在终端天线设计中的应用,这为下文的研究工作做了张本。接着,针对宽带网络匹配技术,本文基于无线数据卡天线设计的一般考虑,提出了使用宽带网络匹配技术实现的LTE/GSM/UMTS多频段无线数据卡天线设计方案和仿真模型,并给出了主要的参数分析和实验结果讨论。这些结果表明,本文设计的多频段无线数据卡天线可以较好地应用于无线数据卡设备中。其次,本文根据不同的集总元件加载对天线输入阻抗匹配的不同影响,通过理论分析和建模仿真优化,把相应的集总元件直接加载在天线辐射元中的合理位置,完成所需多频段无线数据卡天线的设计目的。同时制作出该天线,并在测量时考虑外加测试电缆和在暗室中摆放的不同位置对最终测量结果的影响。最后,本文研究了分布式效应元件和集总元件在终端天线设计中的优劣之别,结合基本的无线数据卡天线,通过合理设计不同的分布式效应元件来调整天线的阻抗匹配,从而实现了LTE/GSM/UMTS多频段无线数据卡天线的设计方案。结构参数和测量结果的分析,也证明了分布式元件在该天线设计中的巨大贡献。
其他文献
近年来,土壤中的多环芳烃(PAHs,polycyclic aromatic hydrocarbons)污染受到研究人员和政府部门的广泛关注。环渤海地区人口稠密,工农业发达,PAHs排放密度较高。本研究选取环渤海
现有ESD测试的共同缺点是它们都是破坏性测试,即这些ESD测试只能提供器件的ESD失效电压,至于在失效之前的一些详细数据并不能给出。而在器件失效之前,对器件失效机理的理解是
近年来,集成电路发展越来越快,应用也越来越广泛,集成电路系统正在与越来越多其他类系统相结合,进而发挥更强大的功能。在这种发展趋势下,一种特殊的电路系统——有机电子系
本文研究了用于平板显示(Flat Panel Display,FPD)的非晶硅(Amorphoussilicon,a-Si)集成栅极驱动电路(Gate-driver in Array,GIA)和数据驱动电路(Source-driver in Array SIA
尺寸处于1-100nm的金属纳米颗粒在电学、光学、磁学等方面表现出既不同于块体材料,又不同于原子、分子的性质。尤其是在电学方面,因为金属纳米颗粒的尺寸很小,从而导致其电容
开关电源,因电源中起调整稳压控制功能的器件始终以开关方式工作而得名。它是利用现代电力电子技术,通过控制开关管的通断时间比来维持输出电压的稳定,其具有体积小、重量轻、功耗低、噪音低、集成度高、可靠性好等特点,被广泛的应用于自动化控制、LED照明、数码产品和医疗设备等各个领域。本文基于开关电源的概况和其控制电路的基本工作原理,设计了离线式单片AC/DC开关电源芯片。该芯片最大输出电流极限值为250mA
在激光解吸电离飞行时间质谱(LDI-TOF-MS)分析中,碱金属离子的信息是最常见的,也是最容易探测到的离子信号。碳纳米管在脉冲激光照射下发射Na+和K+离子,质谱峰强度比预期的碳
本文在充分分析了国内外离面驱动器研究的基础上,结合自适应光学和微成像等领域对于离面驱动器的需求与现有问题,确定了基于梳齿驱动的静电离面驱动器的研究主题。结合我们课
ADF接收机是飞机导航最先使用的设备之一。ADF最核心的技术就是对信号的锁相和解调。国外一直对ADF数字化信号的锁相解调芯片进行技术控制,制约了国内ADF的数字化程度。本论文
本文采用Mg&Zn镶嵌靶作为溅射靶材以及直流反应磁控溅射法制备了MgxZn1-Xo薄膜和MgxZn1-Xo TFTS。主要工作内容和成果如下: (1)研究了溅射过程中的工艺参数(溅射功率,Ar/O