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碳化硅(SiC)作为一种新型的宽禁带半导体材料,由于其优异的性能引起了广泛关注。SiC器件相比于传统的硅基功率器件具有开关损耗小、开关频率高和耐高温能力强等诸多优点,在高性能电力电子变换器中得到快速推广和应用,更加符合未来电力电子技术的发展要求。因此,研究SiC器件特性以及在实际变换器中的应用具有重要意义。本文重点研究了SiC功率MOSFET,详细分析了SiC器件的物理特性和电学特性,从静态特性和动态特性两个方面讨论了SiC器件与硅基器件在特性上的差异。在此研究基础上,本文建立了适用于SiC功率MO