立方氮化硼（c-BN）是一种新型的人工合成宽带隙半导体材料，它具有许多优异的机械学、热学、电学和光学特性，有广泛的应用前景。因而c-BN薄膜的成核与生长研究也成为一个倍受关注的研究热点。 在对近年来c-BN薄膜的制备技术、生长机理模型和目前面临的问题进行了综合性的回顾之后，采用两步生长的偏压射频溅射法（即在薄膜成核和生长过程采用不同的沉积参量匹配）成功的制备了高立方相含量、低应力的c-BN薄膜。通过分析衬底温度、偏压对c-BN成核和生长过程的影响，我们发现成核预处理对于制备高立方相含量的BN薄膜是很重要的，采用低温高偏压成核、高温低偏压生长的两步生长法是实现高效制备高立方相含量BN薄膜的最佳参量匹配。 采用热丝辅助的ECR CVD新技术合成BN薄膜。用傅立叶红外光谱（FTIR）、X射线衍射谱（XRD）、拉曼光谱（Raman）、X射线光电子能谱（XPS）和原子力显微镜（AFM）对样品进行了表征和分析。FTIR和AFM结果表明ECR CVD制备的六角相氮化硼（h-BN）薄膜结晶度很好；在有热丝辅助时可以在相对较低的偏压下合成c-BN，通过XRD谱计算得c-BN的晶粒尺寸为76A；XPS结果表明BN薄膜有很好的化学配比，B原子与N原子的含量比为1：1。