本文主要是对晶闸管控制电抗器(TCR)型静止无功补偿器(SVC)的阀基电子(VBE)和晶闸管高电位(TE)控制系统研制的技术内容进行了详细论述。阀基电子(VBE)控制系统部分包括了光电触发、光电监测两部分,光电触发负责触发晶闸管阀导通,并接收SVC监控系统下发的触发、闭锁等信号,对VBE系统中出现的故障上报给SVC监控系统,同时,光电触发还包括了电光信号转换的功能。光电监测主要是接收晶闸管阀的状态信息以及BOD回报信息,并传送给SVC监控系统,且光电监测也要接收来自监控系统的下发定值等命令要求,此部分包括了光电信号转换的功能。晶闸管高电位(TE)控制系统的研发,主要是实现了TE控制系统的阀电压检测、电平检测以及触发脉冲序列检测的技术,以及单块TE控制系统同时触发两块共阴极晶闸管的功能,完成BOD后备保护的功能,实现晶闸管阀状态监测的功能,还有与阀基电子(VBE)光纤通讯的技术。对于上述的研发内容分别加以试验测试,确认无误后进行联调,并最终应用至实际工程中,检测其功能效果。通过对上述部分的研发,达到了优化SVC系统控制结构,降低SVC系统故障率,提高系统触发的准确度,缩小误差范围,增大SVC控制系统监测范围。最后本文对该研发项目的主要技术关键点及成果进行了总结,并对SVC未来的发展方向进行了展望。