【摘 要】
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Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族黄铜矿结构的CuInSe2系化合物半导体因具有优异的光、电学性能而成为最有发展前景的光伏材料。已有的CuInSe2的制备方法主要为昂贵的真空法,如蒸发和溅射。电沉积法制备CuInSe2系光吸收层薄膜具有成本低廉、能大面积沉积和非真空制备等优势,并有望获得大规模工业应用。电沉积制备的CuInSe2或者Cu(In,Ga)Se2预制层薄膜为非晶或纳米晶,需要进行热处理以改善其结晶性并获得器件
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Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族黄铜矿结构的CuInSe2系化合物半导体因具有优异的光、电学性能而成为最有发展前景的光伏材料。已有的CuInSe2的制备方法主要为昂贵的真空法,如蒸发和溅射。电沉积法制备CuInSe2系光吸收层薄膜具有成本低廉、能大面积沉积和非真空制备等优势,并有望获得大规模工业应用。电沉积制备的CuInSe2或者Cu(In,Ga)Se2预制层薄膜为非晶或纳米晶,需要进行热处理以改善其结晶性并获得器件制备所需性能。本论文主要采用SEM、EDS、XRD、AES、Raman等多种薄膜表征手段研究不同
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