本文基于粒子模拟,研究了长脉冲强激光在非均匀等离子体中的传输,特别是在1/4临界面附近,密度坑的产生机制及其对于参量不稳定性激发(包括受激拉曼散射和受激布里渊散射)的影响。基于一维粒子模拟的结果表明,在1/4临界面附近所产生的受激拉曼散射不稳定性,导致了散射光在等离子体中被捕获,并在该区域形成电磁孤子。电磁孤子的振幅随着不稳定性的发展而提高,并由此而产生一个较强的作用于电子的有质动力。该力驱动周围的电子运动从而形成电荷分离场,离子随后被电荷分离场加速,最终形成准中性的密度坑。在单个密度坑形成后,由于该密度坑周围等离子体密度分布发产了变化,使得等离子体中逐渐形成了更多的密度坑。这些密度坑将等离子体分割成不连续的密度分布,最终这种密度分布明显地抑制了受激拉曼散射和受激布里渊散射不稳定性的发展。二维的模拟结果还显示,密度坑的产生在实际情况中,存在着明显的各向异性。在入射激光为s偏振的情况下,由受激拉曼散射光所产生的密度坑,将会抑制等离子体波的产生与传输,从而抑制不稳定性的发展。而在入射光为p偏振的情况下,由于双等离子体衰变过程的影响,入射光将衰变为两束电子等离子体波,电磁孤子与等离子体密度坑的产生受到抑制,因此受激拉曼散射和受激布里渊散射不稳定性的发展没有受到极大的抑制。在真实的三维情况下,等离子体密度坑的产生效果以及是否会对于不稳定性的后续发展产生影响,还有待于三维模拟的进一步探究。