【摘 要】
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该研究观察了谷氨酸、Ca等介质和离子对培养的前脑基底部神经元生长的影响,以及这些介质和离子对不同生长阶段的前脑基底部神经元反应性-c-fos表达的影响,同时初步观察了前脑基
【出 处】
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西安医科大学 西安交通大学医学院 西安交通大学
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该研究观察了谷氨酸、Ca<2+>等介质和离子对培养的前脑基底部神经元生长的影响,以及这些介质和离子对不同生长阶段的前脑基底部神经元反应性-c-fos表达的影响,同时初步观察了前脑基底部神经元钙电流、发育和衰老的研究增添更翔实的资料。一。谷氨酸和Ca<2+>对培养的前脑基底部神经细胞形态的影响。研究结果表明,谷氨酸和Ca<2+>均对培养的前脑基底部神经细胞有促衰老作用,其促衰老的机制和途径不尽相同,而培养的前脑基底部神经细胞对谷氨酸和Ca<2+>的作用具选择性,搏定改善Ca<2+>引起的促衰老作用;二。谷氨酸和Ca<2+>对培养的前脑基底部神经元c-fos表达的影响。研究结果表明,Ca<2+>和谷氨酸使培养的前脑基底部神经细胞的机能反应性降低,而对于神经质刺激的反应性不仅降低,还有增龄性变化,异搏定能够阻断Ca<2+>引起的细胞反应性的衰老性变化;三。长期培养的前脑基底部神经细胞膜电流特性的初步观察。其主要结果如下:钠电流为快速的电压依赖性的激活和失活,对TTX敏感。激活电压为-50mV,最大电流为863±137.54pA,最大电流的电压为-20mV,翻转电位为68mV,激活中点和失活中点电压分别为-40mV和-62mV,斜率因子分别为7mV和8.8mV。主要观察到的钙电流为HVA钙电流,激活阈值为-30mV最大电流为378.92±90.10pA,最大电流的电压为10mV,翻转电位为60mV,激活中点和失活中点电压分别为-0.68mV和-12mV,斜率因子分别为7mV和12mV。钾电流为外向的电压依赖性激活和时间依赖性失活的延迟整流钾电流,其激活阈值为-40mV。
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