GaAsMESFET 微波功率放大器已经在雷达系统，导引头系统，卫星通信，微波中继通信以及电子对抗等领域广泛使用，它性能的优劣很大程度上影响到系统的整体性能指标。微波功率放大器与小信号微波放大器情况不同，作为功率放大器，应当有比较大的输出功率，比较高的附加效率和比较高的增益，同时还要满足带宽，稳定性，带内平坦度，顶降等等的要求。这些性能与很多因素有关，而且关系也比较复杂。特别是如功率放大器的输出功率受场效应管的输出功率能力影响，场效应管的输出功率是其功率容量，直流偏置，负载阻抗以及沟道温度的函数。本文就是针对场效应管内部沟道温度的变化对功率放大器性能(输出功率)的影响，展开一些比较深入的研究。 GaAs MESFET 的性能受温度影响很大，当温度变化时，其电学特性，物理参数相应的要发生变化。温度的升高，可能是由于 GaAs MESFET 内部沟道的自热效应(self-heating effect)引起的。自热效应：由于芯片内部沟道有源区功率耗散，引起芯片内部温度升高，导致芯片性能变化、漂移现象。我们现在所研究的 GaAs MESFET 芯片TGF4260的体积很小(0.6 mm*2.4 mm*0.1 mm)，然而瞬态功耗可能接近10W，这样大的功耗，已经不能忽略正常工作条件下的芯片的自热效应。 GaAs MESFET 微波功率放大器可以工作在连续波状态，也可以工作在脉冲状态。在脉冲周期状态下，脉冲持续时间内功放是工作的，但由于自热效应，在很短的时间内(100μs数量级)，温度可能产生十几度甚至几十度的变化，应当说这种变化是很剧烈的，由此而导致功放性能的变化也是不能忽略的。 本文就是集中研究温度是如何影响到功放的性能，并且对这种变化关系进行定量的描述，从而为后续工作(如何解决这个问题)，提供一些理论上的帮助，参考。