碲化铋热电材料的制备及其微成型技术研究

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在常温环境里,碲化铋(Bi2Te3)系合金材料是研究最成熟、应用最广泛的一类热电材料,性能比其他材料优异。进一步提高Bi2Te3的热电性能及其微型热电器件的制备技术是目前研究的热点。本文选择了Bi2Te3热电材料作为研究对象,对其粉体的合成与块体材料的热电性能及其电泳沉积微成型技术进行了研究。本文首先利用机械合金化方法制备了Bi2Te3微细粉体,利用放电等离子烧结工艺制备出块体材料,并研究了机械合金化时间对材料热电性能的影响。在此基础上,将纳米SiC分散到Bi2Te3中,以提高其热电性能。研究表明,通过机械合金化工艺能够制备出1-2μm的Bi2Te3微细粉体,当机械合金化时间为12h时,样品具有较好的热电性能。另外,将少量纳米SiC分散到Bi2Te3热电材料中,提高了材料的Seebeck系数并降低了材料的热导率,从而提高材料了的热电性能。含有体积百分比0.1%SiC样品的ZT值在440K附近达到最大值,为0.66,比未分散SiC样品的ZT值有所提高。以机械合金化合成的Bi2Te3粉末为原料,采用电泳沉积工艺沉积了Bi2Te3厚膜,本文系统研究了电泳沉积过程中采用的溶液、基板、电极和电压、电流等因素对沉积膜质量的影响。结果发现,在丙酮溶液中,采用Ta为电极、Si为基板,在电压为100V、电流为3mA、沉积时间为10min的条件下,能得到沉积质量较好的Bi2Te3厚膜。另外,采用快速退火炉在Ar气氛中773K烧结10min后得到了烧结较好的Bi2Te3厚膜。在得出最佳的电泳沉积条件后,本文在具有微孔阵列的硅片上沉积了直径为60μm左右的Bi2Te3热电微柱阵列,为利用硅膜工艺制备微型热电器件奠定了技术基础。
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