β-AgVO3电子结构与光吸收性能的理论研究

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【摘要】

：

随着环境污染的日益严重,利用半导体光催化剂降解污染物受到了人们极大关注。单斜相β-AgVO_3的禁带宽度只有2.11 eV,对可见光有明显的光响应,是一种新型的半导体光催化剂。但目前人们对β-AgVO_3的光催化机理的认识尚不统一,缺少相应的理论研究。本文采用基于密度泛函理论(DFT)框架下第一性原理研究了完整β-AgVO_3晶体、空位缺陷型β-AgVO_3晶体和Cu、Fe元素掺杂β-AgVO_3

【作者】

：

任超

【机构】

：

太原理工大学

【发表日期】

：

2017年06期

【关键词】

：

β-AgVO3电子结构光吸收性能密度泛函理论第一性原理半导体光催化剂

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