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热丝CVD金刚石薄膜在很多领域都存在有巨大的应用前景,对热丝CVD制备金刚石薄膜的研究也取得了很大进展。提高金刚石薄膜的生长速率具有很大的经济价值。目前,采用热丝CVD沉积金刚石薄膜在无偏压条件下能够获得的生长速率一般为0.9~1.4μm/h。施加偏压或者射频可以使电子的能量得到加强,从而大幅度提高金刚石薄膜在平面衬底上的沉积速率,可达10μm/h以上。但是,由于尖端放电的原因,这样的技术无法应用在一些表面不平整,几何形状复杂的工件上。因此,在不施加偏压的条件下提高金刚石膜的生长速率具有重要意义。本