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本文介绍了采用射频磁控溅射法在低温下生长SiC薄膜的工艺过程，研究了薄膜质量与制备条件的关系及薄膜的光学性质。通过X射线衍射，原子力显微镜，拉曼散射仪，傅立叶红外吸收光谱仪，紫外可见吸收光谱仪，及椭圆偏振仪对薄膜的结构，表面形貌及光学性质进行了表征，研究了制备条件对薄膜的结构、组分及形貌的影响。结果表明在Si衬底上制备的薄膜是含有立方结构的晶态碳化硅薄膜。通过正交实验，得到制备薄膜的较优化的衬底温度及溅射功率，并对薄膜的光学性质及退火工艺对薄膜质量的影响进行了初步研究，得出薄膜折射率与厚度、薄膜成分的关系。通过测量薄膜的光致发光谱，表明薄膜在红光区有发光现象。