本文围绕半导体氧化物电致发光器件用透明导电膜、陶瓷基体、发光体的制备工艺，系统研究了配料组成、溶液浓度、掺杂的种类及加入量、合成温度、保温时间、热处理温度及膜厚度对材料电阻率、透明性、介电常数、介质损耗对发光效果的影响。研究中运用XRD、DTA-TG、SEM、FT-IR、TEM等测试手段对制备的材料和薄膜发光器件进行分析测试与表征。 在透明导电膜的研究中，采用浸渍提拉法镀膜。通过控制掺杂量、镀膜剂浓度、热处理温度、镀膜速度等参数，制备出了透明度高达90％以上，表面电阻率ρ=16×10-3Ω·cm的透明导电膜。 在Zn2SiO4：Mn电致发光体的研究中，分别制备了电致发光片和电致发光薄膜。电致发光片的制备方法中，采用了溶胶凝胶法与固相反应法。电致发光薄膜的研制中，采用了溶胶凝胶提拉法和丝网印刷两种方法。经SEM分析测试表明，溶胶凝胶浸渍提拉法制备的发光膜更均匀、更致密。 采用固相反应法制备了高介电、低损耗的陶瓷基片。考察了引入Bi2O3·xTiO2、CaTiO3、MgTiO3对材料介电常数和介电损耗的影响，确定了适宜的加入量，得到了相对介电常数εr≈11864～12429、介电损耗tgδ≈15×10-4的陶瓷基片。 将透明导电膜-发光体-陶瓷基片-电极组合，制成电致发光器件，在50Hz的交流电驱动下，由不同方法制备的电致发光器件都观察到较强的电致发光效果。结果表明已制备出成本低，工艺简单，发光亮度较高的电致发光器件。