功率器件是电力电子技术的重要组成部分,在工业应用和输配电系统中有着举足轻重的地位。对工业自动化提出更高要求的同时,基于硅材料的功率器件在变频器的应用中已没有了进一步提高的空间,但碳化硅材料的出现打破了这一技术瓶颈。国内外学者纷纷表示SiC MOSFET将取代Si IGBT成为新一代功率器件。本文研究内容如下:首先综述了功率器件的发展以及SiC MOSFET工程和学术背景,归纳总结了国内外关于SiC MOSFET在应用方面的研究现状。其次对功率MOSFET做简要介绍,阐述SiC MOSFET相关特性。着重介绍SiC MOSFET的开关行为模型,对于不同阶段功率器件导通和关断过程,绘制等效电路图,建立了数学方程。然后提出SiC MOSFET桥臂串扰的问题和抑制方法。通过理论分析及仿真实验两种方式的结合阐述了串扰产生的原理。介绍了多种抑制串扰的驱动电路设计方法,并基于有源串扰抑制方法,使用一种改进的栅极驱动电路。分析新型驱动电路的工作原理,给出设计参数。介绍仿真软件和实验平台,为驱动电路的设计提供分析方法和实验支撑,并通过双脉冲测试实验验证了该驱动电路串扰抑制的有效性。最后提出一种新型的谐振阻尼电路,以减少开关时的电压电流振荡现象。介绍SiC MOSFET寄生参数,并对SiC MOSFET导通振荡和关断振荡现象进行分析。从理论上定量分析振荡频率和阻尼系数,给出不同阶段的计算公式。提出一种采用空心PCB线圈谐振阻尼电路来抑制SiC MOSFET的开关振荡问题的方法。实验验证了在不同的条件下该驱动电路均能实现对功率侧电压电流振荡的抑制。该论文有图56幅,表4个,参考文献83篇。