氮化钛(TiN)是一种新型多功能材料，其性能优异，如：硬度大、熔点高、电阻率低、抗腐蚀性强，并且具有独特的金黄色，在机械工业、微电子制造业、珠宝装饰业、玻璃制造业、医学等领域具有广泛的应用前景，有关它的制备研究一直十分活跃。制备TiN薄膜的方法有很多，如：物理气相沉积(PVD)、等离子体化学气相沉积(PCVD)、离子束辅助沉积(IBAD)等。其中离子束辅助增强沉积法由于其沉积温度低、离子能量高、附着力强、成膜质量高等优点，是目前应用较为广泛的沉积技术。　　本实验利用TCP离子源和离子束辅助增强沉积技术，在玻璃衬底上制备TiN薄膜。通过改变氮氩气比例、衬底温度、沉积时间和退火，研究不同参数对TiN薄膜晶相结构、表面形貌、电学特性、残余应力和显微硬度的影响，以期制备出高性能TiN薄膜。　　原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观察TiN薄膜的表面形貌表明，不同工艺下制备的TiN薄膜均表面致密平整，提高氮气比例会减小颗粒尺寸；提高衬底温度和退火会使颗粒尺寸增大。X射线衍射仪(XRD)分析TiN薄膜可知，在不同的工艺参数下制备的TiN薄膜结晶度好，TiN薄膜沿应变能最小的TiN(111)面择优取向，以降低系统自由能。在样品中还出现了Ti2N(200)晶面，这是由于氮分压较低时薄膜中Ti原子过量造成。在退火后，高温作用下薄膜中的Ti2N与氮原子发生二次反应，转化成TiN(111)晶向。增大氮氩气比例、升高衬底温度和退火都有利于TiN薄膜生长。四探针法测量TiN电学特性表明，随氮氩比的增加，电阻率先下降受上升；提高衬底温度、退火和沉积时间会使电阻率下降。通过计算TiN薄膜的残余应力发现，不同条件下制备的样品随残余应力增大，薄膜电阻率也增大。薄膜显微硬度受到TiN微观结构的影响，当真空室中氮气过量时，薄膜的硬度会减小；提高衬底温度可以提高薄膜结晶度，薄膜的硬度上升；退火后薄膜残余应力得到释放，硬度下降。