本论文通过深腐蚀、萃取等方法获得Mg或Al合金中完整的初生Mg₂Si晶体,研究Sr、Sb单一以及复合变质对凝固过程中初生Mg₂Si形核方式及其生长的影响,初步揭示变质初生Mg₂Si的生长形态选择及其演变规律。Sr主要通过吸附毒化的方式抑制Mg₂Si晶体的生长。当采用0.1wt.% Sr变质时,Mg–4Si合金中初生Mg₂Si生长形态为八面体;当Sr含量为0.2wt.%时,初生Mg₂Si长成立方体。Sr变质八面体初生Mg₂Si生长过程为:晶核→<100>晶向生长→八面体棱边生长→八面体骨架→完整八面体。Sb变质Mg–4Si合金中初生Mg₂Si的生长形态为八面体。Al–20Mg₂Si合金中加入0.5wt.% Sb,合金中初生Mg₂Si长成八面体;随着Sb含量的增加（>1wt.%）,初生Mg₂Si由八面体变成了由{111}和{100}晶面组成的切角八面体。Sr–Sb复合变质机理为:除了Sr、Sb单一变质的作用,Sr和Sb结合生成Sb10Sr11化合物作为异质核心细化Mg₂Si晶体。当Sr–Sb含量较低时（<0.2wt.%）,变质Mg–4Si合金中初生Mg₂Si长成八面体。随着Sr–Sb含量的增加（0.5wt.%）,大部分变质Mg₂Si形貌变为不规则多面体。Sr–Sb变质Al–20Mg₂Si合金中初生Mg₂Si按“二维核-层生长”方式生长为立方体。