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卫星普遍使用磁力矩器进行姿态、导航、运行等控制。磁力矩器在卫星局部产生高达0.035T的磁场,卫星上控制设备大部分由半导体元器件为主的电路单元构成,并且长时间工作在磁场下,因此必须考虑该磁场对卫星上一些敏感元件和设备的影响。针对强磁场对基本元器件及电子线路的工作状态的影响,进行了实验测试和理论分析两方面的工作。在恒磁场为0-2T的范围内,主要对Si、Ge基二极管I-V特性进行测试。结果表明,当外加电压一定时,随着磁感应强度的增大,Si基二极管反向饱和电流不发生变化,Ge基二极管的反向饱和电流明显下降。当磁感应强度达到2T时,Ge基二极管的反向饱和电流相对于无磁场条件降低约100nA。Si基二极管的正向电流基本不受磁场的影响,而Ge基二极管正向电流随磁场增大有逐渐减小的趋势。磁场对Si、Ge基二极管影响不同,主要是因为前者载流子浓度、迁移率远小于后者。依据半导体及电磁场理论基础,对实验结果进行了分析并建立了恒磁场下半导体二极管的特性方程。实验测试曲线与理论模型曲线符合地很好。其它Si基电子元器件,如三极管、CMOS及典型的电路单元在该磁场下也能正常工作。典型的电子线路在上述磁场下进行测试均能正常工作。主要是因为磁场对基本的电子元器件,如二极管、三极管、MOSFET、电阻、电容没有影响,尤其是对迁移率相对较小的Si基器件没有任何影响。磁敏器件在其磁场敏感方向和合适的电学条件下,工作灵敏度高,在恒磁场磁感应强度B<O.1T的范围内,器件均能正常工作,有良好的磁电特性或磁阻特性。在0-2.5T的脉冲磁场和0-0.35T的交变磁场下,基本元器件及电子电路基本不受磁场影响,均能正常工作。通过实验发现高磁导率材料是恒磁场屏蔽的良好材料。实验中采用9层纯铁屏蔽方案,强度为0.1T的磁场屏蔽后为原来的2%,基本能满足半导体元器件、电路单元、磁敏器件等的屏蔽要求。