现如今,随着数据产业的蓬勃发展,人们对数据存储量的需求越来越大,为了提高硬盘的磁存储密度,磁头与磁盘之间的飞行高度越来越小,已经低至几个纳米,在如此狭小的空间内,磁头与磁盘之间发生接触碰撞的可能性也随之增大。磁头磁盘接触碰撞会产生摩擦生热现象,使磁盘表面覆盖的润滑剂层发生迁移损耗及再分布,严重情况下甚至会损坏磁头读写单元,破坏磁盘的正常运行。由于磁头磁盘接触碰撞对润滑剂分子耗散的影响机制尚不明确,研究磁头磁盘在接触过程中润滑剂分子迁移耗散和再分布的影响因素势在必行,且从微观角度揭示润滑剂的具体迁移过程和受到碰撞影响之后的再分布情况,对硬盘往高存储密度、高精准性、高可靠性、高稳定性方向发展具有重要意义。因此,本文首先通过建立磁头磁盘接触碰撞有限元模型与简易分子动力学模型,通过两个模型对比分析,研究磁头磁盘接触碰撞过程中的摩擦生热特性,分析了磁头干涉深度、磁盘运行速度等因素对接触引起摩擦生热产生的温度升高现象的影响机制,得到了接触引起的摩擦生热导致磁头磁盘界面局部温度。建立了磁头磁盘界面润滑剂迁移的分子动力学模型,结合磁头磁盘接触碰撞得出的温升,从微观角度表明了在接触过程中,温度升高对磁盘表面润滑剂分子的影响,得出了润滑剂分子迁移和再分布的影响机制。同时,揭示了硬盘运行参数,如磁盘运行速度、磁头磁盘之间高压区与低压区的压强差等因素对润滑剂分子迁移和再分布的影响。阐明了影响润滑剂迁移的主要因素如温度和压强的共同作用关系。通过建立不同形态的磁头磁盘接触碰撞过程中润滑剂分子迁移损耗的分子动力学模型,探究了磁头磁盘接触碰撞过程中关键因素对磁头压入深度和润滑剂迁移耗散量的具体影响机制,包括磁头凸起形状、磁头所受法向载荷、无压强差情况下的边界压强、磁盘静止/运行的状态等等因素,得出了硬盘结构和运行参数对润滑剂分子迁移耗散和再分布的影响。本文从微观角度揭示了磁头磁盘接触碰撞过程中润滑剂分子迁移耗散的相关过程和结果,探究了磁头磁盘发生接触碰撞时润滑剂损耗速率、损耗量的影响机制,进一步得出了磁头磁盘表面润滑剂经过接触碰撞后的再分布规律。并结合所得出的润滑剂分子影响因素,得出了在接触碰撞发生时抑制或消除润滑剂分子迁移的有效方法,在磁头气浮面形貌设计方面提供了参考依据,提高了硬盘存取数据时的稳定性和可靠性,为硬盘往高密度、高存储量方向发展提供了相关技术支持。