【摘 要】
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近几年,ZnO基半导体材料作为紫外光电子应用方面有前途的候选材料而成为光电子领域研究的热点。要获得高性能光发射器件,必须制备高质量的ZnO薄膜。本论文采用直流反应磁控溅
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近几年,ZnO基半导体材料作为紫外光电子应用方面有前途的候选材料而成为光电子领域研究的热点。要获得高性能光发射器件,必须制备高质量的ZnO薄膜。本论文采用直流反应磁控溅射的方法,通过改变氩氧比、衬底温度和退火温度等方法,得到:在电压为400V、电流为450mA、工作压强为2.0Pa、衬底温度为250℃及退火温度900℃为最佳工艺参数。并通过X射线衍射法(XRD)、扫描电镜(SEM)对样品的结构、形貌特性进行了测试,利用光致发光、四探针法对样品的发光和电阻进行了测试和分析,证明在Si衬底上制备了高质量的ZnO薄膜。之后在Si衬底上引入光刻技术后制备ZnO薄膜,得到:生成的薄膜颗粒比较大,更加致密、平整,C轴取向的结晶质量更好,紫外峰强度更强,可见光有所减弱,表明薄膜内部本征缺陷减小,这对于半导体紫外激光器的制备具有一定的意义。
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