随着应用环境的不断变化和应用要求的不断提高，传统硅基器件已经接近其理论极限而难以在性能上有太大提升，因此，研究应用下一代半导体材料势在必行。第三代半导体材料碳化硅(SiC)，由于其具有禁带宽度大、临界击穿电场高、载流子饱和速度大以及热导率高等优良特性，特别适合应用于功率电子领域。功率二极管是功率电子学中最为重要的器件之一，而JBS(junction barrier controlledSchottkey)二极管由于其出色的性能成为SiC二极管的主流结构。因此，SiC功率器件的产业化离不开SiC JBS二极管的发展。由于曲率效应的影响，功率半导体器件往往需要制作结终端来改善器件的反向特性。由于SiC材料和工艺方面的特殊性，有些基于硅基器件开发的结终端技术直接应用于碳化硅功率半导体器件比较困难。因此，研究SiC功率器件的结终端技术就显得尤为重要。本文基于Silvaco公司的数值仿真工具Atlas对SiC JBS基本特性和结终端技术进行研究。对场板(FP)技术、场限环(FLR)技术、单区结终端扩展(JTE)技术的耐压机理进行了理论分析，运用仿真工具对各种结终端结构中器件性能与各结构参数之间的相互关系进行了仿真研究和理论解释。对SiC器件上特有的多区JTE实现形式—刻蚀型JTE进行了理论分析和仿真研究。本论文基于通过刻蚀来调制JTE中电荷的基本思想及业界制作刻蚀型JTE的实际经验，提出了一种称为横向变刻蚀JTE(VLE-JTE)的新型结终端结构。该结构突破了传统刻蚀型JTE中一次刻蚀只能形成一个JTE区域的局限，通过改变JTE上刻蚀窗口的大小来控制JTE中的电荷分布，从而可以通过一次刻蚀形成多个JTE区域。理论分析表明，该结构可以很方便地实现各种电荷分布，很好地解决了SiC器件中多区JTE实现困难的问题。仿真结果表明，VLE-JTE相对于传统刻蚀型JTE能够将击穿电压提高900V，使器件击穿电压达到6500V。此外，仿真结果还表明，VLE-JTE拥有比传统刻蚀型JTE更为优良的工艺容差特性。这对于解决长期影响JTE的剂量敏感问题，提供了有益借鉴。最后，通过对VLE-JTE内部机理的深入研究，比较详细地提出了该结构的优化方法，为其实际应用创造了条件。