【摘 要】
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ZnO属于Ⅱ-Ⅵ族带隙半导体,具有抗氧化性、寿命长、资源丰富、无毒无污染等优点,因此在太阳能电池等光电领域具有很大的应用潜力。通过掺杂有效地调节ZnO的能带是实现性能优良的ZnO光电器件的途径之一。本文采用基于密度泛函的第一性原理方法,对ZnO的Cd、Ag掺杂改性进行了探讨;并设计了一种Cd-Ag:ZnO/Cu2O结构的全氧化物太阳能电池。本文首先研究了本征ZnO的电子结构和光学性质,分别采用GG
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ZnO属于Ⅱ-Ⅵ族带隙半导体,具有抗氧化性、寿命长、资源丰富、无毒无污染等优点,因此在太阳能电池等光电领域具有很大的应用潜力。通过掺杂有效地调节ZnO的能带是实现性能优良的ZnO光电器件的途径之一。本文采用基于密度泛函的第一性原理方法,对ZnO的Cd、Ag掺杂改性进行了探讨;并设计了一种Cd-Ag:ZnO/Cu2O结构的全氧化物太阳能电池。本文首先研究了本征ZnO的电子结构和光学性质,分别采用GGA和LDA近似计算ZnO带隙。接着对Cd、Ag分别掺杂ZnO进行了研究,计算了CdxZn1-xO合金的带
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