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近年来，Sb掺杂SnO2纳米线场效应晶体管具有高迁移率、低成本、低温工艺等优势而引起了广泛的研究兴趣。然而，在大部分的文献报道中，Sb掺杂SnO2纳米线场效应晶体管的工作电压很大（>10V），这会导致电子系统有更大的能耗。所以如何降低其工作电压、提高器件的迁移率、增强栅电场静电调制能力成为该课题研究的重点。本论文的研究内容主要有两个方面：一是以介孔SiO2为栅介质的Sb掺杂SnO2纳米线场效应晶体管的制备及其性能的研究；二是以壳聚糖为栅介质的Sb掺杂SnO2纳米线场效应晶体管的制备及其性能的研究。论文首先综述了纳米材料的性能和制备方法，氧化锡的性能及其应用。第二部分介绍了晶体管的基础理论知识，包括其发展历程、工作原理、参数性能指标等，还介绍了晶体管制备材料的选取，以及本实验室的制备工艺。在研究工作方面首先在介孔SiO2上制备了底栅顶接触的Sb掺杂SnO2纳米线场效应晶体管（FET）,测得栅介质单位电容为2.14μF/cm2。该FET工作电压为0.8V，开关比为2104，亚阈值斜率为140mV/dec，阈值电压为0.1V，饱和场效应迁移率为54.43cm2/Vs。同时我们将介孔SiO2栅介质浸泡于10%H3PO4溶液，并检测经过磷酸处理后的栅介质对整个器件性能的影响。得出栅介质电容为7.09μF/cm2，工作电压为0.4V，开关比为1.3104，亚阈值斜率为120mV/dec，阈值电压为-0.05V，饱和场效应迁移率为149cm2/Vs。其次，我们以壳聚糖为栅介质，2%Sb掺杂的SnO2纳米线为沟道制备了底栅顶接触的FET，测得壳聚糖栅介质电容为4.2μF/cm2。该器件电学性能为：开关比为1.04105，亚阈值斜率为150mV/dec，阈值电压为-0.3V，饱和场效应迁移率为224cm2/Vs。我们又分别制备了1%Sb掺杂的SnO2纳米线FET和0.5%Sb掺杂的SnO2纳米线FET，探讨了Sb掺杂的比例不同对器件性能的影响。1%Sb掺杂的器件电学性能：开关比为0.9105，亚阈值斜率为75mV/dec，阈值电压为0.1V，饱和场效应迁移率为241cm2/Vs。0.5%Sb掺杂的器件电学性能：开关比为0.94105，亚阈值斜率为50mV/dec，阈值电压为0.4V，饱和场效应迁移率为302cm2/Vs。总之，我们制备的Sb掺杂SnO2纳米线场效应晶体管工作电压很小，且在可见光范围内透明。有望在纳米传感器中得到很好的运用。