形状记忆聚酰亚胺(SMPI)将形状记忆性能与聚酰亚胺的耐极端高低温、力学强度高、耐空间辐照等特征有机结合。该材料在空间可展开结构、智能喷气发动机、可变卫星副翼等智能领域有广泛应用前景。然而,SMPI的形状记忆效应驱动方式目前主要是直接热驱动,这在远程驱动或者无法提供直接热源的实际应用中存在很多不便,因此电驱动的SMPI就成为解决问题的方法之一。而具有电磁屏蔽效应的SMPI可用作屏蔽罩的材料。这种SMPI材料能够同时在高温苛刻环境和智能领域中使用以降低或消除电磁辐射危害,在工程应用中存在较大的商业价值。首先从聚酰亚胺结构与其耐高温性质的关系出发,采用“两步法”将含有芳香结构,含氟官能团等的酐、胺单体脱水缩合制得聚酰亚胺基体。在此基础上,制得成膜工艺相对简单且具有可调控性的高温导电形状记忆聚酰亚胺/碳(SMPI/C)复合材料。该材料有望实现电驱动形状记忆效应(EASME),并成为良好的电磁屏蔽材料。根据制得的SMPI/C复合材料的形貌、玻璃转变温度(T_g)、电、热双驱动效应和成膜属性确定以6-FODA和BPDA为单体得到的SMPI作基体,碳纤维作功能材料。通过调控研磨碳纤维(GCF)与SMPI基体的比例制得电驱动形状记忆聚酰亚胺复合材料(EASMPI)。随后对EASMPI的性能进行详细表征。结果表明EASMPI材料具有302~oC的T_g且具备较好的导电性能和高效的能量传导效率,在15.87 V的电压驱动下成功实现EASME。而对形状记忆材料输出效率至关重要的回复应力的测定数值为40.1 MPa,远高于其他SMPs。能够成功实现EASME的关键在于GCF在SMPI基体内部形成的连续导电网络和填料与基体之间的良好相容性。将碳纤维和碳黑同时作为填料,调控其在SMPI基体中的填入比例制得形状记忆聚酰亚胺电磁屏蔽复合材料(EMSMPI),并进行详细的性能表征。结果表明,EMSMPI材料在较低导电填料浓度时,屏蔽性能可达24.44 dB能够满足商用屏蔽要求(20 dB)。与此同时,EMSMPI在330°C时作为屏蔽材料可循环使用,具备优异的形状记忆性能和热机械性能。动态力学分析结果证实,碳材料填入量与SMPI/C材料的T_g呈正比例关系,但会对材料结构造成破坏,对其形状记忆效应产生不利影响。SMPI/C材料导电性随碳含量的增加而增加,并结合材料厚度与其电磁屏蔽特性构成增函数关系。该材料的屏蔽机制以吸收衰减为主。因此,碳填料浓度的调控是决定SMPI/C性能优劣的关键因素。