该论文的主要研究成果有两部分:第一、基于STM的纳米材料的表征、改性与纳米加工1)基于STM的常规模式对金属有机络合物Ag-TCNQ的电双稳特性进行表征并且制作纳米存储点阵.分析了脉冲电压极性、脉冲幅值、脉冲宽度等参量对在Ag-TCNQ薄膜上制作存储点阵的影响,并成功获得了纳米尺度的存储点阵,达到了高密度存储的标准.2)基于STM的"接触"模式对金属有机络合物Ag-TCNQ的电双稳特性进行深入研究,克服了STM的空气隧道结对测量薄膜样品电阻的影响,得到并分析了Ag-TCNQ薄膜在用STM进行电学改性前后高低电阻比,其值大于10<'4>,并在该模式下成功获得了纳米尺度的存储点.这个"接触"模式是对STM的常规表征、加工模式的有力补充.3)寻找在超高密度信息存储领域具有潜在应用价值的新型有机材料.基于STM的常规模式对以Langmuir-Blodgett膜方法制备的硬脂酸样品的电学特性进行了研究,并成功获得了纳米尺度的存储点阵,并且对存储时间做了深入研究,存储时间至少大于8个小时.第二、基于AFM的表征、改性与纳米加工1)利用导电AFM测量形貌像和电流像,表征Ag-TCNQ薄膜成份以及成膜质量,分析了Ag和TCNQ的化学配比对成薄质量的影响,分析了Ag和TCNQ退火及长时间充分反应形成络合物对成膜质量的影响.2)利用具有导电针尖的AFM,通过控制电场作用的区域,在电场作用下对Ag-TCNQ薄膜进行了纳米图形刻蚀加工,成功得到了平行线结构.