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MCM多芯片组件以其体积小，重量轻、性能好等优点而倍受关注，并在电子、医疗、航天、汽车和电信等领域得到了广泛应用。同时，MCM的可靠性问题也成为国际上研究的焦点问题之一。 本研究重点研究了MCM—C基板的可靠性，包括厚膜电阻，基板布线以及互连通孔。试验设计制造了5层10层和15层三种低温共烧陶瓷基板样品。基板表面放置了10欧姆10K欧姆和100K欧姆三种厚膜电阻，基板层与层之间通过通孔与金属线（称为导带）连接，试验测试膜电阻及导带电阻值。试验分为两部分，第一部分为极限应力对比试验，第二部分为温度应力与电应力双应力加速试验。极限应力对比试验过程依据GJB548-9方法1010A中温度循环试验条件F要求，样品在-65℃～175℃的条件下做温度循环。加速寿命试验进行了两个温度点的试验，采取的温度点为200℃和230℃，两个不同的电压应力点为16/60V及12/45V（V1/V2）。 本研究采用统计方法先对膜电阻的寿命分布进行分布拟合检验，结果发现可以认为膜电阻的寿命分布服从威布尔分布，然后用最好线性无偏估计算出其分布参数，从而得出平均寿命、特征寿命等参数。利用两个不同的电应力下的寿命得出电应力加速系数，然后算出逆幂率系数。再根据Arrhenius公式，利用两个温度点的数据算出三种不同层数MCM的激活能，从而可以外推出常温下的寿命。 本研究发现，国产低温共烧陶瓷多芯片组件（MCM—C，LTCC基板）中厚膜电阻的寿命分布服从形状参数位m=1.1549的威布尔分布；MCM-C中厚膜电阻电应力的逆幂率系数σ=5.7143；五层、十层和十五层MCM—C的激活能EⅠ、EⅠ及EⅢ为0.192eV、0.165eV和0.114eV；三种层数的MCM—C样品膜电阻寿命数据进行对比Ⅰ2：Ⅱ2：Ⅲ2=432.068：407.088：300.296=1.44：1.36：1。