铜氧化物（Cu₂O和CuO）/铜（Cu）和SiO₂构成的复合材料（Cu₂O/CuO/Cu-SiO₂）在光子器件、光催化、感应器件等领域具有广泛的应用前景。文献报道的Cu₂O/CuO-SiO₂复合材料的制备都经过了后续的处理过程,如高温热处理或射线处理。本文采用电化学-溶胶凝胶法技术一步得到Cu₂O/CuO-SiO₂复合薄膜材料。以醋酸铜（Cu（Ac）2）和正硅酸乙酯（TEOS）为前驱体,以柠檬酸钠（Na3Cit）溶液为配合剂,配制出了[Cu（II）]:[Cit³-]分别为2:1、1:1、1:2的透明澄清、在空气中非常稳定的Cu（II）-Cit³--SiO₂复合溶胶;在室温（20℃）下,分别以这3种溶胶为电解液,在不同电位下于ITO（氧化铟锡导电玻璃）基底上直接沉积得到3种Cu基-SiO₂复合薄膜。采用循环伏安（CV）、X-射线衍射（XRD）、扫描电镜/X-射线散射能谱（SEM/EDX）和X-射线光电子能谱（XPS）对复合薄膜的组成和形貌进行了表征,结果表明Cu（II）在3种溶胶中的电化学行为完全不同。（1）在[Cu（II）]:[Cit³-]为2:1的复合溶胶中,在较低的电位下（0^-0.42 V）,电化学沉积制备得到Cu₂O-SiO₂复合薄膜;在更负的电位（-0.42^-1.0 V）下电化学沉积制备得到Cu₂O-CuO-SiO₂复合薄膜;（2）在[Cu（II）]:[Cit³-]为1:1的复合溶胶中,在较低的电位下制备得到Cu₂O-SiO₂复合薄膜;在-0.8^-1.0 V条件下制备得到Cu₂O-Cu-SiO₂复合薄膜;（3）在[Cu（II）]:[Cit³-]为1:2的复合溶胶中,在较低的电位下制备得到Cu₂O-SiO₂复合薄膜;在-1.0 V条件下制备得到Cu₂O-Cu-SiO₂复合薄膜。计时安培（CA）研究表明,溶胶体系的充电电流很大,本文采用Langmuir吸附/解吸平衡方程扣除其影响,再用Scharifker-Hill扩散控制下的三维多核生长模型解析成核电流。结果表明,（1）在[Cu（II）]:[Cit³-]为2:1的复合溶胶中,Cu₂O/CuO表现为瞬时成核机理;（2）在[Cu（II）]:[Cit³-]为1:1和1:2的复合溶胶中,随着电位向更负的方向移动,Cu₂O/Cu由连续成核逐渐转向为瞬时成核。