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任何材料在一定温度下均存在红外发射率。根据斯忒藩-玻尔兹曼定律E=σεT4可知,红外发射率是影响物体红外辐射能量大小的重要因素,发射率越大,物体向外辐射的能量也就越大。碱土金属掺杂的镧锰氧化物不仅具有优良的庞磁电阻效应,同时伴随有金属-绝缘态转变和相应的铁磁-顺磁转变。由于金属具有较低的发射率,而绝缘体具有较高的发射率,因此这种具有金属-绝缘态转变的镧锰氧化物,其发射率就会随着温度的变化而自主地发生变化,作为一种新型的热控材料有着广阔的应用前景。本论文以掺杂型镧锰氧化物为研究对象,鉴于其ABO3型结构与性能的密切关系,从调整镧锰氧化物ABO3结构掺杂出发,对不同掺杂体系镧锰氧化物的红外发射率特性及其变化规律作一些有益的探索,并在此基础上进一步提高镧锰氧化物的可变发射率性能。重点研究了A位二价离子掺杂体系La1-xSrxMnO3和La1-xCaxMnO3,A位一价离子掺杂体系La1-xNaxMnO3和La1-xKxMnO3,A位离子缺位体系(La0.8Sr0.2)1-xMnO3,B位离子掺杂体系La0.8Sr0.2Mn1-xCuxO3和La0.8Sr0.2Mn1-xTixO3体材料的红外发射率特性,以现代分析手段从多方面对不同离子价态、不同位置、不同形式掺杂样品的红外发射率与结构、电磁特性、红外吸收特性之间的相互关系进行了系统的研究,确定了合适的热控制材料体系及其适用范围,利用离子缺位成功地提高了可变发射率性能,对镧锰氧化物ABO3结构掺杂与红外发射率的若干关系作了探讨,在以上研究基础上对镧锰氧化物薄膜和涂层的红外发射率特性进行了初步研究。1.分别制备了A位二价Sr和Ca离子掺杂样品,首次系统地研究了不同掺杂浓度、温度、波段、表面粗糙度和晶格结构对样品发射率的影响,以及可变发射率性能与波段的对应响应问题。掺Sr样品呈菱方相结构,但随着掺杂浓度的增大,Mn3+离子迅速减少导致体系晶格结构向高对称性转变为立方相;掺Ca样品呈立方相结构。由于Mn3+-O-Mn4+之间的双交换作用,掺Sr样品的导电性和铁磁性随着掺杂浓度的增大而增强,发射率减小;由导电性与磁性能的密切相关性得出,发射率不仅与导电性相关,与磁性能也有关系,并且铁磁性越强,发射率越低。掺Ca样品的导电性随着掺杂浓度的增加呈现出先增大后减小的趋势,但是由于铁磁性一直增强,轨道有序作用使样品中出现了铁磁-绝缘相,发射率减小。由此推断得出,镧锰氧化物铁磁性对发射率的影响大于导电性的影响。对于镧锰氧化物体材料,表面粗糙度对发射率影响不大。为了研究晶格结构对红外发射率的影响,分别用固相反应法与溶胶凝胶法制得菱方相与正交相样品,发现不同晶格结构样品的发射率特性明显不同。由于金属-绝缘态转变,Sr掺杂浓度x=0.2样品在814μm波段的发射率随温度出现了突变现象,在288373 K之间的变化值为0.13,计算得出328 K时其向外辐射能量达到536.8 W/m2,辐射性能提高18 %,但是在35μm波段不存在可变发射率性能。Ca离子掺杂样品的发射率在288 K373 K之间逐渐减小。因此,Sr掺杂浓度x=0.2样品作为在814μm波段的热控制材料有潜在的应用前景。2.采用一价Na离子和K离子分别替代La离子,发现一价离子在钙钛矿结构中的溶解度较低,离子很难融入晶格中。一价离子掺杂使体系转变为顺磁态,电子自旋共振波谱强度随掺杂浓度的增大而减小,表明样品中不成对电子浓度减小,从而降低了轨道跃迁几率,发射率减小。由于自发极化增强了偶极矩的振动,在814μm波段出现了新的红外吸收峰。磁性能的降低与814μm波段的红外吸收使一价掺杂样品的发射率偏高,K掺杂样品的发射率大于Na掺杂样品的发射率,并且一价掺杂样品的发射率在288373 K之间随着温度没有明显变化。因此,一价掺杂体系不适合作为热控制材料。3.首次研究了A位离子缺位体系的红外发射率特性,并成功制备出发射率变化差值较大的样品。由于A位缺位量的增加造成空间结构的变化以及所产生的内应力,体系中电子-声子散射和磁散射增强,导电性和铁磁性减小。同时,畸变的晶格导致体系在814μm波段出现新的红外吸收。然而体系的发射率呈现出先增大后减小的趋势,当缺位量x=0.2时,样品的发射率最大,这与样品在814μm波段强的红外吸收有关。由此得出,红外吸收对体系发射率的影响大于导电性和铁磁性的影响。缺位量x=0.2样品的发射率在288373 K之间的变化值为0.2,仅在室温288313 K附近发射率变化值就达0.159,计算得出313 K时其向外辐射的能量为440.8 W/m2,辐射性能增加24.6 %。可见,缺位样品作为热控制材料有更广阔的应用前景。4.鉴于Mn-O-Mn网络结构对样品性能的重要影响,利用Cu离子和Ti离子替代占据B位的Mn,考察B位掺杂样品的红外发射率特性。随着Cu掺杂浓度的增加,样品结构趋于有序化,体系对称性降低,因此不对称振动引起的红外吸收变大,电子自旋共振波谱的宽度变窄。Ti掺杂样品在814μm波段出现了两个新的红外吸收峰。由于掺杂使体系由铁磁态转变为顺磁态,以及在814μm波段强的红外吸收,B位掺杂样品的发射率偏高,并且在288373 K之间随着温度的变化没有明显变化。可见,B位掺杂样品不适合做热控制材料。5.从镧锰氧化物ABO3结构掺杂特性出发,分析和总结了镧锰氧化物的晶格结构、电磁特性和红外吸收与红外发射率之间的相互关系,得出掺杂镧锰氧化物的红外发射率特性是红外辐射与晶格结构、电子结构与磁结构相互耦合作用的结果。6.在镧锰氧化物体材料红外发射率研究的基础上,制备镧锰氧化物薄膜和涂层材料,并初步研究它们的红外发射率特性。利用溶胶凝胶法和反提拉涂膜工艺制备了掺锶镧锰氧化物薄膜,薄膜的红外发射率随着膜厚的增加而逐渐减小,当厚度达到1400 nm时发射率保持不变。紫外辐照结果表明,辐照前后薄膜发射率特性基本不变。以掺锶镧锰氧化物为颜料,环氧改性聚氨酯为基体树脂制备了镧锰氧化物涂层,涂层的发射率随着颜料用量的增加而减小。