活性艳红X-3B水溶液的光催化降解及TiO2催化剂改性研究

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目前,环境污染问题成为一个直接威胁人类生存而亟待解决的焦点问题,其中染料废水处理又是环境污染治理中的一个难点。光催化氧化用于染料废水的处理是近年来兴起的一种新方法,它可以将染料废水中的有机污染物分解为CO2,H2O,N2,Cl-,PO43-等无机物小分子,且氧化效率高,无二次污染,具有较好的应用前景。本课题对活性艳红X-3B的光催化降解过程进行了考察,并研制出镶嵌CdS的纳米管钛酸,它能够有效利用太阳光中的可见光部分,反应活性高且化学性质稳定,是直接利用太阳光进行染料废水处理的应用基础研究。 染料分子的结构通常较为复杂,光催化降解的过程中会有大量的中间产物生成,因此光催化氧化用于染料废水处理时能否达到彻底的矿化,就成为这项技术用于工业实际的首要问题。本文以纳米TiO2为光催化剂,对活性艳红X-3B水溶液的光催化脱色和矿化过程进行了研究。利用UV-Vis吸收光谱、高效液相色谱、质谱等方法对光催化反应过程中溶液组成的变化进行了检测,并利用重铬酸盐法测定了溶液的COD值;利用FT-IR吸收光谱对光催化反应过程中催化剂上的吸附物进行了检测。UV-Vis吸收光谱和COD测定结果表明,活性艳红X-3B水溶液的光催化脱色和矿化过程是同时进行的,反应过程中有难以降解的中间产物生成,使活性艳红X-3B水溶液的彻底矿化难以在有限的反应时间内完成;高效液相色谱和质谱的测试结果显示,反应过程中生成的难以降解的产物很可能是磺酸基萘及其取代物。关于这些难降解中间产物的确认有待于我们进一步的研究。 TiO2半导体廉价易得、无毒、化学性质稳定,是常用的光催化剂,但其禁带宽度(Eg)较宽(3.1 eV,400 nm),只能对紫外光有响应,并且其量子效率较低,使其直接利用太阳光进行液相污染物的消除受到了一定程度的限制。本文采用浸渍法在纳米TiO2表面担载窄带半导体CdS,制备成CdS/TiO2复合半导体,籍此来提高基础催化剂TiO2的光催化活性和拓宽对光谱的响应范围。使用UV-Vis分河南大学无机化学专业二零零一级硕士学位论文:摘要 光光度计、X射线光电子能谱仪等对样品的结构进行了表征。结果表明,本实验 条件下制备的CdS/Tio:复合半导体中硫的主要存在形式是CdS,但在制备过程中 由于微量氧的存在,使其最外层氧化为CdSO4;由于在TIO:表面修饰了CdS,使 样品的吸收带边由400nm(3 .1 eV)红移至53onm(2 .3 ev)。以活性艳红X一3B水 溶液的光催化脱色为指标反应,对复合半导体CdS/TIO:的活性进行了评价,结果 表明,在TIOZ表面修饰窄禁带半导体CdS后,催化剂的活性有所增加,且Cds的 最佳担载范围为0,16%一0.4%。采用粉末电导装置对CdS/TIOZ薄膜的表面态能级 进行了测试。与单一Ti氏相比,CdS/TiO:的表面态更靠近TIO:的导带,有利于电 子在表面的捕获,从而提高了样品中自由电子的浓度,加速了X一3B的光催化脱色 反应。 为了抑制窄禁带半导体CdS在光催化反应过程中出现的光腐蚀现象,我们考虑将CdS镶嵌入钦酸纳米管中,希望能够在提高光催化活性和拓宽光谱响应范围的同时,有效抑制CdS的光腐蚀现象。在制备过程中,首先将纳米管钦酸进行深度干燥,其次利用负压将CdCI:溶液吸入纳米管中,然后通入HZS气体进行反应制得镶嵌CdS的钦酸纳米管。采用电子显微镜、X一射线衍射仪和紫外一可见扩散反射谱仪对样品进行了表征,结果表明,在钦酸纳米管中镶嵌有CdS,它使纳米管钦酸的吸收带边由400lun红移至SO0nm。以活性艳红X一3B水溶液的光催化脱色为指标反应,对镶嵌Cds的钦酸纳米管的活性进行了评价,得到以下三点结论:一,对于单一的纳米管钦酸和镶嵌CdS的纳米管钦酸,随着热处理温度的提高,其光催化活性增加;二,镶嵌CdS的钦酸纳米管与单一的纳米管钦酸对比,活性有显著的增加,且反应过程中活性非常稳定;三,经过600℃处理的镶嵌CdS的钦酸纳米管的活性明显高于基础催化剂Tio:的,其活性与DegussaP一25 Tio:的接近。本实验研制的镶嵌CdS的纳米管钦酸能够有效利用太阳光中的可见光部分,反应活性高且化学性质稳定,对光催化技术在染料废水处理方面的工业应用起到一定的推动作用。
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