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氮化铝(AlN)作为一种重要的Ⅲ族氮化物,是一种直接带隙半导体材料,其禁带宽度为6.2eV,在蓝、绿光和紫外光高频段的光电子器件领域有着极大的应用潜力,受到了人们极大的关注。其极高的热导率(320W·m-1·K-1)大约是Al203的10倍,非常适合于作为大功率器件、集成电路的散热材料；其低的热膨胀系数(4.3×10-6℃),可以很好的与硅匹配,可以广泛应用于半导体器件的衬底材料；其高的机械强度、很高的熔点,可以作为复合材料的添加剂和增强剂；其极高的电阻率,可以作为高温和大功率电子器件的封装材料。