ICP-CVD法制备氟碳薄膜的实验研究

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氟碳(FC)薄膜由于具有较低的介电常数(可达2.0±0.1)、良好的热稳定性、粘附性,较低的表面能、折射率低等特性,已经引起了工业界的广泛关注。随着元器件特征尺寸减小,尺寸比增大,新型缺陷限制了电、光学材料的新一代产品的成品率,特别在光学薄膜方面,对材料的表面结构提出了高要求;在确定缺陷类型和分布方面,界面的原子级粗糙度起着关键性作用。另外虽然人们在FC薄膜的制备方法、反应动力学、结构以及物性分析方面开展了较多的研究工作,但在结合FC等离子体的发射光谱诊断研究FC薄膜沉积过程方面的工作还相对较少,对
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