还原再氧化法制备ZnO压敏陶瓷及其叠层片式元件关键技术研究

来源 :华中科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：metasearch

【摘要】

：

多层片式ZnO压敏电阻(ZnO MLVs)因其独特的非线性电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性被广泛地应用于低压集成电路中的静电防护(ESD)。由于ZnO及其组分在低氧分压下高温烧结容易被还原从而发生组分挥发损失,目前ZnOMLVs只能在空气中烧结制备,导致其内电极需使用能够抗高温氧化且熔点较高的贵金属银(Ag)/钯(Pd)合金材料,致使得其生产成本居高不下。此外,内电极与ZnO压敏组分的化学反应和扩散会导致

【作者】

：

陈涛

【机构】

：

华中科技大学

【出处】

：

华中科技大学

【发表日期】

：

2017年04期

【关键词】

：

氧化锌压敏材料掺杂改性还原再氧化片式元件电性能

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