论文部分内容阅读
有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode,OLED）以其驱动电压低、视角宽、适用性与可塑性好等优点,成为近些年最具发展前景的显示器件。OLED技术也是未来发展的一大趋势。现如今大部分的液晶显示屏都是镀有氧化铟锡（Indium Tin Oxides,ITO）专用导电玻璃,这是由于ITO透过率高,导电能力强,但同时ITO具有易碎性,成本昂贵、制备过程中所需条件苛刻,这些均不能满足抗冲击、易弯曲、低成本等柔性显示设备使用。因此急需一种价格低廉,生产工艺简单,能与柔性衬底很好兼容,可实现规模化批量生产的可替代材料,而铜纳米线（CuNWs）就很好符合上述要求。本文主要研究水热法合成CuNWs,并简要分析不同情况下CuNWs的生长情况,温度以及不同试剂配比对其生长长度,分散度影响,再通过压片抽滤法制备出低方阻,高透过率的CuNWs透明导电薄膜,最后将其作为透明阳极应用于有机发光器件中。本文主要内容分为三个部分:首先,CuNWs的制备,利用水热法合成CuNWs,主要化学试剂有封端剂十八烷基胺(C18H39N,ODA),还原剂葡萄糖(C6H12O6)以及少量的三氯化铁粉末（FeCl3）,铜源二水氯化铜(CuCl2·2H2O)制备出分散度较好,超长超细的CuNWs。研究反应时间、反应温度、ODA、三氯化铁对CuNWs生长的影响,并调整实验参数寻找出最适合生长铜纳米线的条件,分别利用SEM、TEM、XRD以及光学显微镜对铜纳米线进行表征,最终可生长出平均长度>120μm,平均直径≈40nm的CuNWs.其次,CuNWs复合透明导电薄膜的制备,将制备好的CuNWs利用真空抽滤方法转移到以PET柔性基底上,制备出CuNWs透明导电薄膜,方阻15Ω/sq20Ω/sq,透过率85%90%（λ=550nm）,但是由于制备出CuNWs导电薄膜易氧化,且表面粗糙度不够好,因此采用旋涂氧化石墨烯（GO）来有效隔绝空气并降低表面粗糙度。最后,由于CuNWs/GO复合透明导电薄膜功函数依旧不高,为提高复合薄膜的功函数,我们旋涂已经配制好的聚（3,4-乙烯二氧噻吩）-聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）溶液,制备出CuNWs/GO/PEDOT:PSS复合透明导电薄膜,利用制备出的复合薄膜开始依次蒸镀有机材料（NPB,Alq3）和无机材料（LiF,Al）,最终制备出柔性绿光OLED器件,并和以CuNWs/PEDOT:PSS为阳极的器件进行对比,实验结果表明:以CuNWs/GO/PEDOT:PSS为阳极的OLED器件最大发光亮度3007.4cd/m2,相比于CuNWs/PEDOT:PSS为阳极的OLED器件最大亮度提高了近10%。