半导体量子点玻璃是一类重要的复合纳米材料，在纳米科技中占有重要的地位。半导体在玻璃基体中生长形成的具有纳米尺寸的量子点，是一个三维受限的准零维结构，具有显著的量子尺寸效应、库仑阻塞效应、介电受限效应等许多不同于三维固体体材料的新现象、新效应。将掺有一定比例CdS和CdSe半导体的玻璃基体放在900 K的恒温炉中，用一步退火法得到了一系列量子点半径不同的半导体CdSeS量子点样品，本论文中量子点样品的生长时间分别为1、4、8、16小时，分别记为1H、4H、8H、16H。通过HRTEM分析显示CdSeS量子点结晶良好。各样品中的量子点平均半径分别为1.9、2.3、2.5、2.7nm。　　 非线性电学材料是其电流--电压（即伏安特性曲线）不满足通常的欧姆定律而呈非线性变化的一类功能材料。本论文中实验研究了样品1H、4H、8H、16H的非线性电学性质。实验首先测量了样品1H、4H、8H、16H的介电弛豫过程，分析得到介电弛豫时间随外加电压增大而单调增大；介电弛豫时间与量子点半径有关，当量子点半径较大或较小时，弛豫时间较大，当量子点半径适中时，弛豫时间较小。然后通过数据拟合得到样品1H、4H、8H、16H的电学非线性系数，分析得到电学非线性系数与量子点半径有关，当量子点半径较大或较小时，电学非线性系数较大，当量子点半径适中时，电学非线性系数较小。　　 实验还尝试对CdSeS量子点玻璃的电滞回线进行测量，根据两种原理测量得到的结果表明CdSeS量子点玻璃中没有形成电畴，不能观察到明显的电滞回线。