植入式可降解电子器件在医疗电子领域受到了越来越多的关注。未来可降解晶体管和微传感器等器件集成在一起构成植入式可降解微机电系统是主要发展趋势之一。但是,目前报道的可降解晶体管的工作电压比较高（>5V）,不利于应用于植入式医疗器件,这将会带来功耗和安全性等问题。本文主要针对低压可降解晶体管展开研究,成功研制了两类低压可降解晶体管,取得的主要研究成果有:1.研究了海藻酸钠薄膜的双电层电容效应,为研制低压可降解晶体管提供了理论基础。发现AZO-海藻酸钠-AZO结构的阻抗图可以分为两个区间,在低频区域（<100Hz）器件的单位面积电容达到了2μF/cm2,这个数值等效于5nm厚热氧化形成SiO2薄膜的电容值,这个巨大的电容值是由于在AZO-海藻酸钠薄膜界面形成了一个双电层电容;随着频率的增高（>100Hz）,海藻酸钠薄膜中的质子不能有效的移动,因此随着频率的提高,器件的电容值呈现指数倍快速衰减。2.基于海藻酸钠和AZO（ZnO:Al）,成功研制了一种工作电压为1V的可降解晶体管。30个晶体管的平均载流子迁移率、亚阈值摆幅和开关比分别为:6.19 cm ² V^-1 s^-1、94 mv/decade和10⁶。在具有良好的晶体管性能的同时,研制晶体管的工作电压相比于前报道的可降解晶体管（>5V）大幅下降。3.在以上研究成果基础上,提出了一类低成本可降解无结晶体管。这种无结晶体管的制备工艺和器件结构都非常的简单,海藻酸钠薄膜同时充当衬底和栅介质,源、漏极和沟道区有同一块图形化的AZO薄膜构成,栅极位于沟道区的同一平面。在晶体管结构和制备工艺大为简化的同时,研制的无结晶体管保持了优异的性能,20个晶体管的平均载流子迁移率、亚阈值摆幅和开关比分别为4.15cm²V^-11 s^-1、113.8mv/decade和10⁶。