氧化锌是一种新型Ⅱ-Ⅵ族化合物，具有无毒无污染、原料丰富易得、制备成本低、热稳定性和化学稳定性高等优点。氧化锌的带隙和激子束缚能较大，在室温下， ZnO具有3.37eV的直接宽禁带，60meV的高激子束缚能，在可见光区域透明，有优异的常温发光性能，在气体传感器、压敏电阻、液晶显示器、太阳能电池、紫外半导体激光器、透明导电薄膜以及稀磁半导体等方面具有广泛的应用前景。　　尽管在国内外对Ag单掺和Ag-N共掺ZnO光电性能影响的研究有一定的进展，但是研究过程中仍存在不足之处。Ag掺杂对 ZnO吸收光谱影响的研究仍存在着分歧，为了解决该问题，采用自旋密度泛函理论(DFT)框架下的广义梯度近似(GGA+U)的方法，用第一性原理研究了Ag掺杂ZnO体系的电子结构和吸收光谱分布的影响。计算结果表明，当Ag掺杂ZnO的摩尔数为0.0278-0.0417的范围内，随着Ag掺杂浓度的增加，掺杂体系晶格常数越增加，体积越增加，总能量越升高，稳定性越下降，体系形成能越增加，掺杂越难，带隙越变窄，吸收光谱分布越红移，研究发现，带隙和吸收光谱发生分歧的主要原因，除了掺杂浓度外，与掺杂体系的空间尺度有一定的关系。　　为了解决在Ag-N共掺对ZnO性能影响的研究中Ag原子和N原子随机占位而没有考虑ZnO的非对称性的问题，采用基于密度泛函理论框架下的广义梯度(GGA+U)的方法，对六种相同掺杂方式不同掺杂浓度，以及相同掺杂浓度不同掺杂方式的Ag-N成键共掺 ZnO体系超胞模型的能带结构和态密度进行了第一性原理计算。计算结果表明，在掺杂浓度相同时，沿垂直于c轴方向Ag-N成键共掺体系比沿c轴方向Ag-N成键共掺体系更稳定，掺杂更容易。在相同掺杂方式不同掺杂浓度时，随着掺杂浓度的增加，Ag-N成键共掺体系稳定性下降，掺杂更困难；与纯的ZnO单胞相比，沿垂直于c轴方向Ag-N成键共掺体系的最小光学带隙变窄，吸收光谱发生红移，随着掺杂浓度的增加，吸收光谱的红移越显著。　　在相同条件下， Ag-N共掺对ZnO电导率影响的结果，存在相悖的问题，为了解决该问题，采用基于密度泛函理论框架下的广义梯度(GGA+U)的方法，对相同掺杂方式不同掺杂浓度 Ag-N共掺 ZnO体系的能带结构和态密度进行了第一性原理计算。计算结果表明，随掺杂浓度的增加，沿垂直于c轴方向Ag-N成键共掺ZnO超胞体系的相对自由空穴浓度增大，价带顶空穴的有效质量减小，电离能减小，Bohr半径增大，电导率增大，导电性能增强。　　通过模拟计算研究，获得了Ag单掺和Ag-N共掺对ZnO的光学和导电性能的可靠数据，解决了实验研究中存在的不足，这对设计和制备新型 ZnO掺杂体系的光电功能材料有一定的理论指导意义。